1, 將一個或多個存儲單元或者寄放器置成預先規定的狀態，通常置成零狀態。

2, 存儲容量和性能：通過根據需要動態地添加存儲單元來實現。

3, 量子計算機存儲單元的相干脫散，破壞量子態中的信息，是量子計算機難以實現的主要原因之一。

4, 你可以借助于壓縮十進制數字的方法來節省大量的存儲單元.

5, 分析了影響這種SRAM存儲單元工作特性的各種因素，包括對其中的反相器、壓控電阻和傳輸門管的研究。

6, 存儲器采用六管CMOS存儲單元、鎖存器型敏感放大器和高速譯碼電路，以期達到最快的存取時間。

7, 觸發器是構成時序邏輯電路的存儲單元和核心部件.

8, 在某些系統中,任何一個離散的存儲單元,如字節、字、數據塊、存儲桶、磁盤圓柱、磁道扇區等.

9, 某些非晶體存儲器中的一個存儲單元.

10, 通過在峰值存儲單元中引入零點及在峰值檢測電路中引入前饋，實現了對自動增益控制環阻尼特性的調整。

11, 對第一代開關電流存儲單元產生的時鐘饋通誤差做了合理的似分析，設計了一種高性能開關電流存儲單元。

12, 在具有微程序控制的指令集的微型計算機中，它包含另外的控制存儲單元。

13, 由此可見,加數和被加數都應足夠小,以便能夠適合地裝入一個存儲單元.

14, 3D閃存是下一代閃存技術,相對于2D閃存技術,3D閃存把存儲單元垂直疊加,可大幅提高存儲器容量,但對制造工藝要求更高。